हमें अपने व्यवसाय पर भरोसा क्यों है?
हम पैनिक को खरीद से बाहर करते हैं। हम अपने विश्वसनीय स्रोतों से लाखों-से-मुश्किल भागों का स्टॉक करते हैं। हम अपनी उत्पाद सूची को मिनटों तक ताज़ा करते हैं, और ऑनलाइन खरीदारी वास्तविक समय में पूरी होती है और हर दिन भेज दी जाती है।
2002 में स्थापित, MFGChips इलेक्ट्रॉनिक घटकों के वितरण में एक स्थानीय नेता है, और आज स्थानीय बाजार में सबसे सम्मानित और अभिनव कंपनियों में से एक के रूप में भी मान्यता प्राप्त है। हांगकांग में मुख्यालय, MFGChips ने उत्कृष्ट सेवा प्रदान करने और कुशल, व्यापक वैश्विक आपूर्ति श्रृंखला समाधान प्रदान करने के लिए एक प्रभावशाली प्रतिष्ठा अर्जित की है।
और अधिक जानें >
घरसमाचारQORVO ने 750V इलेक्ट्रिक वाहनों के डिजाइन प्रदर्शन में सुधार करने के लिए D2PAK पैकेज SIC FET लॉन्च किया
QORVO ने 750V इलेक्ट्रिक वाहनों के डिजाइन प्रदर्शन में सुधार करने के लिए D2PAK पैकेज SIC FET लॉन्च किया
कनेक्टिविटी और पावर सॉल्यूशंस के दुनिया के प्रमुख प्रदाता QORVO (NASDAQ: QRVO) ने आज एक सिलिकॉन कार्बाइड (SIC) फील्ड इफेक्ट ट्रांजिस्टर (FET) उत्पाद की घोषणा की, जो मोटर वाहन विनिर्देशों का अनुपालन करता है और उद्योग के उत्कृष्ट 9m ω को रेजिस्टोरर RDS पर वितरित करता है।) कॉम्पैक्ट D2PAK-7L पैकेज में।
750V SIC FET Qorvo की नई पिन-संगत SIC FET श्रृंखला में 60 मीटर तक प्रतिरोध मूल्यों के साथ पहला है, जो इसे वाहन चार्जर, डीसी/डीसी कन्वर्टर्स और सकारात्मक तापमान गुणांक जैसे इलेक्ट्रिक वाहन (ईवी) अनुप्रयोगों के लिए आदर्श बनाता है (PTC) हीटर मॉड्यूल।
25 डिग्री सेल्सियस पर UJ4SC075009B7S की विशिष्ट ऑन-प्रतिरोध 9 मीटर, है, जो चालन हानि को कम करता है और उच्च-वोल्टेज, बहु-किलोवाट वाहन अनुप्रयोगों में दक्षता को अधिकतम करता है।
इसका छोटा सतह माउंट पैकेज विधानसभा प्रक्रिया को स्वचालित कर सकता है और ग्राहकों की विनिर्माण लागत को कम कर सकता है।
नई 750V श्रृंखला QORVO के मौजूदा 1200V और 1700V D2PAK पैक किए गए वाहन Sic FET को पूरक करती है, जिससे 400V और 800V बैटरी आर्किटेक्चर इलेक्ट्रिक वाहनों की आवेदन की जरूरतों को पूरा करने के लिए एक पूर्ण पोर्टफोलियो बनाता है।
Qorvo पावर प्रोडक्ट लाइन के विपणन निदेशक रमनन नटराजन ने कहा: "इस नई SIC FET श्रृंखला का लॉन्च अपने अद्वितीय वाहन बिजली की चुनौतियों को पूरा करने के लिए उन्नत और कुशल समाधान के साथ इलेक्ट्रिक वाहन पावरट्रेन डिजाइनरों को प्रदान करने के लिए हमारी प्रतिबद्धता को प्रदर्शित करता है।"
ये चौथी-पीढ़ी के Sic FET ने Qorvo के अद्वितीय कैस्कोड संरचना सर्किट कॉन्फ़िगरेशन को अपनाया और सिलिकॉन-आधारित MOSFET के साथ SIC JFET को संयोजित किया और वाइड-बैंड गैप स्विचिंग प्रौद्योगिकी दक्षता और सिलिकॉन-आधारित MOSFET के सरल गेट ड्राइव के फायदे के साथ उपकरणों का उत्पादन किया।
SIC FET की दक्षता चालन हानि पर निर्भर करती है;उद्योग के उत्कृष्ट कम-प्रतिरोध और बॉडी डायोड रिवर्स वोल्टेज ड्रॉप के लिए धन्यवाद, Qorvo के कैस्कोड संरचना / JFET दृष्टिकोण कम चालन हानि लाता है।
UJ4SC075009B7s की मुख्य विशेषताओं में शामिल हैं:
थ्रेसहोल्ड वोल्टेज वीजी (टीएच): 4.5 वी (विशिष्ट), 0 से 15 वी तक स्वीकार्य ड्राइविंग वोल्टेज।
लोअर बॉडी डायोड VFSD: 1.1V।
अधिकतम ऑपरेटिंग तापमान: 175 डिग्री सेल्सियस।
उत्कृष्ट रिवर्स लचीलापन: QRR = 338NC।
कम गेट चार्ज: QG = 75NC।
मोटर वाहन इलेक्ट्रॉनिक्स समिति का AEC-Q101 प्रमाणन पारित किया गया
750V SIC FET Qorvo की नई पिन-संगत SIC FET श्रृंखला में 60 मीटर तक प्रतिरोध मूल्यों के साथ पहला है, जो इसे वाहन चार्जर, डीसी/डीसी कन्वर्टर्स और सकारात्मक तापमान गुणांक जैसे इलेक्ट्रिक वाहन (ईवी) अनुप्रयोगों के लिए आदर्श बनाता है (PTC) हीटर मॉड्यूल।
25 डिग्री सेल्सियस पर UJ4SC075009B7S की विशिष्ट ऑन-प्रतिरोध 9 मीटर, है, जो चालन हानि को कम करता है और उच्च-वोल्टेज, बहु-किलोवाट वाहन अनुप्रयोगों में दक्षता को अधिकतम करता है।
इसका छोटा सतह माउंट पैकेज विधानसभा प्रक्रिया को स्वचालित कर सकता है और ग्राहकों की विनिर्माण लागत को कम कर सकता है।
नई 750V श्रृंखला QORVO के मौजूदा 1200V और 1700V D2PAK पैक किए गए वाहन Sic FET को पूरक करती है, जिससे 400V और 800V बैटरी आर्किटेक्चर इलेक्ट्रिक वाहनों की आवेदन की जरूरतों को पूरा करने के लिए एक पूर्ण पोर्टफोलियो बनाता है।
Qorvo पावर प्रोडक्ट लाइन के विपणन निदेशक रमनन नटराजन ने कहा: "इस नई SIC FET श्रृंखला का लॉन्च अपने अद्वितीय वाहन बिजली की चुनौतियों को पूरा करने के लिए उन्नत और कुशल समाधान के साथ इलेक्ट्रिक वाहन पावरट्रेन डिजाइनरों को प्रदान करने के लिए हमारी प्रतिबद्धता को प्रदर्शित करता है।"
ये चौथी-पीढ़ी के Sic FET ने Qorvo के अद्वितीय कैस्कोड संरचना सर्किट कॉन्फ़िगरेशन को अपनाया और सिलिकॉन-आधारित MOSFET के साथ SIC JFET को संयोजित किया और वाइड-बैंड गैप स्विचिंग प्रौद्योगिकी दक्षता और सिलिकॉन-आधारित MOSFET के सरल गेट ड्राइव के फायदे के साथ उपकरणों का उत्पादन किया।
SIC FET की दक्षता चालन हानि पर निर्भर करती है;उद्योग के उत्कृष्ट कम-प्रतिरोध और बॉडी डायोड रिवर्स वोल्टेज ड्रॉप के लिए धन्यवाद, Qorvo के कैस्कोड संरचना / JFET दृष्टिकोण कम चालन हानि लाता है।
UJ4SC075009B7s की मुख्य विशेषताओं में शामिल हैं:
थ्रेसहोल्ड वोल्टेज वीजी (टीएच): 4.5 वी (विशिष्ट), 0 से 15 वी तक स्वीकार्य ड्राइविंग वोल्टेज।
लोअर बॉडी डायोड VFSD: 1.1V।
अधिकतम ऑपरेटिंग तापमान: 175 डिग्री सेल्सियस।
उत्कृष्ट रिवर्स लचीलापन: QRR = 338NC।
कम गेट चार्ज: QG = 75NC।
मोटर वाहन इलेक्ट्रॉनिक्स समिति का AEC-Q101 प्रमाणन पारित किया गया