नए MOSFETS वर्तमान साझाकरण को बढ़ावा देते हैं

उच्च-शक्ति प्रणाली डिजाइन को सरल बनाने के लिए एक कदम में, समानांतर-जुड़े उपकरणों में गतिशील वर्तमान साझाकरण को बढ़ाने के लिए 80 V और 100 V एप्लिकेशन-विशिष्ट MOSFETs (ASFETs) की एक नई श्रृंखला को पेश किया गया है।इलेक्ट्रिक वाहनों, औद्योगिक मोटर्स और गतिशीलता उपकरणों में 48 वी मोटर-ड्राइव सिस्टम के उद्देश्य से, ये MOSFETS पावर इलेक्ट्रॉनिक्स में सबसे लगातार चुनौतियों में से एक को संबोधित करते हैं-स्विचिंग के दौरान अनवेन वर्तमान वितरण।

जब कई MOSFETs का उपयोग वर्तमान क्षमता और कटौती चालन नुकसान को बढ़ावा देने के लिए समानांतर में किया जाता है, तो मामूली सीमा वोल्टेज भिन्नताएं थर्मल तनाव और समय से पहले डिवाइस की विफलता का कारण बन सकती हैं।परंपरागत रूप से, डिजाइनरों ने सुरक्षित संचालन सुनिश्चित करने के लिए महंगे डिवाइस मिलान या अति-विशिष्टता पर भरोसा किया है-दोनों अक्षम और लागत-भारी दृष्टिकोण।

नए लॉन्च किए गए ASFETS- PSMN1R9-80SSJ (80 V) और PSMN2R3-100SSJ (100 V) -Offer एक अधिक व्यावहारिक समाधान।बेहतर वर्तमान संतुलन के लिए इंजीनियर, ये उपकरण टर्न-ऑन और टर्न-ऑफ इवेंट के दौरान समानांतर इकाइयों (50 प्रति डिवाइस तक) के बीच 50% कम वर्तमान डेल्टा तक पहुंचाते हैं।वे एक कम वीजीएस (टीएच) विंडो भी पेश करते हैं, जो 0.6 वी मिनट-टू-मैक्स को कड़ा करता है, जो लोड-शेयरिंग स्थिरता में काफी सुधार करता है।

प्रमुख विशेषताएं हैं:

बीहड़ 8 × 8 मिमी LFPAK88 कॉपर-क्लिप पैकेज
वाइड ऑपरेटिंग तापमान रेंज: -55 डिग्री सेल्सियस से +175 डिग्री सेल्सियस
औद्योगिक और मोटर वाहन अनुप्रयोगों की मांग के लिए डिज़ाइन किया गया
इन संतुलन संवर्द्धन के अलावा, ASFETs कम RDS (ON) मान प्राप्त करते हैं - 80 V वेरिएंट के लिए 1.9 Mω और 100 v संस्करण के लिए 2.3 M।साथ में, ये विनिर्देश कस्टम मिलान या अतिरिक्त स्क्रीनिंग चरणों के बिना उच्च विश्वसनीयता प्राप्त करने के लिए एक सीधा रास्ता प्रदान करते हैं।

थ्रेशोल्ड मिलान के बजाय वर्तमान-साझाकरण अनुकूलन पर ध्यान केंद्रित करके, नेक्सपेरिया द्वारा ये ASFET सर्किट डिजाइन को सरल बनाते हैं, लागत में कटौती करते हैं, और सिस्टम की मजबूती को बढ़ाते हैं-विद्युतीकरण और औद्योगिक स्वचालन के रूप में महत्वपूर्ण लाभ उच्च शक्ति की मांग।